» » Коротко о новом: Samsung разработала первый в мире 8-гигабитный модуль мобильной DRAM-памяти LPDDR4

 

Коротко о новом: Samsung разработала первый в мире 8-гигабитный модуль мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Автор: admin от 31-12-2013, 09:55, посмотрело: 2143

Добрый день, Хабр!

Samsung Electronics объявила о своих успехах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.

Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что является самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.

Коротко о новом: Samsung разработала первый в мире 8-гигабитный модуль мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Благодаря новому интерфейсу ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), чип LPDDR4 обеспечивает скорость передачи данных 3200 Мбит/сек на контакт, что в два раза быстрее показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения. Помимо этого, новый интерфейс LPDDR4 обеспечит на 50% более высокую производительность, чем любые образцы памяти LPDDR3 или DDR3. При всем этом энергопотребление новой памяти снизилось примерно на 40% при напряжении 1,1 вольт.

Несомненно, своим новым чипом Samsung будет оснащать премиум-модели нового поколения смартфонов, планшетов и ультратонких ноутбуков в 2014 году.

Источник: Хабрахабр

Категория: Железо

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Добавление комментария

Имя:*
E-Mail:
Комментарий:
Полужирный Наклонный текст Подчеркнутый текст Зачеркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера
Введите два слова, показанных на изображении: *